1.       a.       Use the Miller approximation to calculate the −3-dB frequency of the small-

signal voltage gain of a common-source transistor whose ac schematic is shown below.  Assume the dc drain current ID = 0. 5 mA.  Also, assume that W = 100 µm, L drawn = 2 µm, Ld = 0. 2 µm, Xd = 0, λ = 0, k′ = 60 µA/V2 , χ = 0, Cdb = 0, Cgb = 0, and fT = 3 GHz (at ID = 0. 5 mA).

b.       Calculate the nondominant pole magnitude  for the circuit in (a).  Compare your answer with a SPICE simulation.

2.       For the circuit below, assume that VI is adjusted so that ID = 0. 5 mA.  Calculate the low-frequency small-signal voltage gain vo /vi , and use the zero-value time-con- stant method to estimate the −3-dB frequency.  Use the same data as in the previous problem except:

a. Cdb ≠ 0. Calculate the  zero-bias drain-bulk capacitance as Cdb0 = AD (Cj0′) + PD (Cjsw0′), where AD = (5 µm)W is the drain area and PD = W is the drain perimeter. Let Cj0′ = 0. 4 fF/(µm2 )    and Cjsw0′ = 0. 4 fF/µm. Use Equation (1.202) with ψ0 = 0. 6 V to calculate Cdb . In case you do not have the book, Equation (1.202) shows that 

b. Cox ′ = 0. 7 fF/(µm2 ), and fT is no longer given.

3.       Consider the amplifier stage shown below.  Assume IB is adjusted so that the dc

output voltage VO = 0.

a.       Calculate the low-frequency, small-signal transconductance vo /ii , and use the zero-value time-constant method to estimate the −3-dB frequency.  Use the formula   for Cdb0  given in Problem  2.  For all transistors,   assume L drawn = 2 µm, Ld = 0. 2 µm, Xd = 1 µm, χ = 0, W1 = 100 µm,    and W2 = W3 = 100 µm. Use Equations (1.201) and (1.202) with ψ0 = 0. 6 V for the junction  capacitances.  In  case  you  do  not  have  the  book,  Equation

(1.201) shows that  and Equation (1.202) is given in the

previous    problem.      For M1 ,     assume Vtp = − 1 V, kp = 20 µA/V2 ,

λp = 1/50 V, Cox′ = 0. 7 fF/(µm2 ), Cj0′ = 0. 2 fF/(µm2 ),           and Cjsw0′ = 0. 2 fF/µm.   For M2    and M3 ,  assume Vtn = 1 V, kn = 60 µA/V2 ,

λn = 1/100 V, Cox′ = 0. 7 fF/(µm2 ), Cj0′ = 0. 4 fF/(µm2 ),          and Cjsw0′ = 0. 4 fF/µm.

b.       Repeat  (a) with a 20-pF capacitor connected from the drain to the gate of M1 .